国产三代半导体材料新冲破中科院成功制备8英寸碳化硅晶体

发布时间：2022-05-12 16:15 所属栏目：15 来源：互联网

导读：碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，在功率半导体等领域具有巨大应用潜力，但长期以来面临大尺寸晶体制备的工艺难题，碳化硅单晶衬底在器件成本中占比也高达近 50%。研发团队通过优化生长工艺，进一步解决了多型相变问题，持续改善晶体结晶质量，成功生长

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，在功率半导体等领域具有巨大应用潜力，但长期以来面临大尺寸晶体制备的工艺难题，碳化硅单晶衬底在器件成本中占比也高达近 50%。

研发团队通过优化生长工艺，进一步解决了多型相变问题，持续改善晶体结晶质量，成功生长出了单一 4H 晶型的 8 英寸 SiC 晶体，晶坯厚度接近 19.6 mm，加工出了厚度约 2mm 的 8 英寸 SiC 晶片并对其进行了相关测试。

Raman 散射图谱和 X 射线摇摆曲线测试结果表明生长的 8 英寸 SiC 为 4H 晶型；(0004) 面的半高宽平均值为 46.8 arcsec。相关工作已申请了三项中国发明专利。

8 英寸 SiC 导电单晶研制成功是物理所在宽禁带半导体领域取得的又一个标志性进展，研发成果转化后，将有助于增强我国在 SiC 单晶衬底的国际竞争力，促进我国宽禁带半导体产业的快速发展。

以上工作得到了科技部、新疆生产建设兵团、国家自然科学基金委、北京市科委、工信部、中国科学院等部门的大力支持。

（编辑：ASP站长网）