英特尔介绍 Intel 4 工艺 2 倍密度 性能提高超 20%
发布时间:2022-06-20 16:03 所属栏目:15 来源:互联网
导读:据 AnandTech 消息,英特尔现已分享了一些有关其下一代 Intel 4 工艺的消息。 英特尔公布的数据显示,Intel 4 的鳍片间距降至 30 纳米,是 Intel 7 的 34 纳米间距尺寸的 0.88 倍。同样,接触栅之间的间距现在为 50nm,低于之前的 60nm。英特尔声称 Intel 4
据 AnandTech 消息,英特尔现已分享了一些有关其下一代 Intel 4 工艺的消息。 英特尔公布的数据显示,Intel 4 的鳍片间距降至 30 纳米,是 Intel 7 的 34 纳米间距尺寸的 0.88 倍。同样,接触栅之间的间距现在为 50nm,低于之前的 60nm。英特尔声称 Intel 4 的密度是 Intel 7 的 2 倍,或者更具体地说,晶体管的尺寸减少了一半。 此外,新工艺对金属层进行了重大更改。英特尔在其 Intel 7 工艺的最底层用钴代替了铜,该公司认为出于晶体管寿命的原因,这是必要的。然而,从性能的角度来看,钴并没有那么好,长期以来人们一直怀疑钴是英特尔 Intel 7 的主要绊脚石之一。 性能方面,报道称在 0.65v 的等功率下,Intel 4 的频率与 Intel 7 相比提高了 21.5%。在 0.85v 及以上时,等功率增益接近 10%。 英特尔称,Intel 4 在电源效率方面的收益更大。在等频( 2.1 GHz 左右)下,Intel 4 的功耗降低了 40%。随着频率的增加,收益递减。 (编辑:ASP站长网) |
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