三星公布旗下UFS4.0闪存本月量产提供两倍于UFS3.1的每通道速度

发布时间：2022-08-04 15:10 所属栏目：45 来源：互联网

导读：今天三星电子在圣克拉拉（加利福尼亚）会议中心举行的 2022 年闪存峰会上宣布，在 5 月份开发的业界首个 UFS 4.0 移动存储，计划在本月进入量产。三星称，新的 UFS 4.0 闪存将成为旗舰智能手机的关键部件，以后还将用于移动设备、VR 和 AR 设备。根据此前三

今天三星电子在圣克拉拉（加利福尼亚）会议中心举行的 2022 年闪存峰会上宣布，在 5 月份开发的业界首个 UFS 4.0 移动存储，计划在本月进入量产。

　　三星称，新的 UFS 4.0 闪存将成为旗舰智能手机的关键部件，以后还将用于移动设备、VR 和 AR 设备。根据此前三星公布的信息，三星 UFS 4.0 闪存提供每通道高达 23.2Gbps 的速度，是三星前代产品 UFS 3.1 的两倍。借助三星第 7 代 V-NAND 技术和专有的控制器，UFS 4.0 将提供 4200MB/s的顺序读取速度和 2800MB/s的顺序写入速度。

　　同时，UFS 4.0 的能效也得到了提高，UFS 4.0 将提供每 mA（毫安）6.0MB/s的顺序读取速度，比上一代提高了 46%，因此，在消耗同等电量下，用户可以传输更多数据。

　　三星指出，为了实现更有效的空间利用和设计便利，UFS 4.0 将采用尺寸为 11 毫米 x13 毫米 x1 毫米的紧凑型封装，并将提供可达 1TB 的各种容量选择。

　　了解到，在 2022 年闪存峰会上，三星还推出了新一代的存储技术“Petabyte 存储”。这种新的解决方案将使一个服务器单元能够装入超过 1PB 的存储空间，使服务器制造商能够在相同的楼层空间内用最少的服务器数量大幅提高存储容量，服务器的高利用率也将有助于降低功耗。三星公布了其“Memory-semantic SSD”，这种 SSD 结合了存储和 DRAM 内存的优势。利用 Compute Express Link（CXL）互连技术和内置 DRAM 缓存，Memory-semantic SSD 在 AI 和 ML 应用中使用时，随机读取速度和延迟性能都可以提高 20 倍。三星的 Memory-semantic SSD 经过优化，能够以更快的速度读写小尺寸的数据块，对于越来越多的需要快速处理较小数据集的 AI 和 ML 工作负载来说，官方称其为理想之选。

　　三星还公布了两款企业级固态硬盘的信息，其中包括业界首款 PCIe 5.0 固态硬盘 PM1743，还有首款 24G SAS 固态硬盘 PM1653，这两款产品现在都在进行量产。

（编辑：ASP站长网）