国产芯片欲弯道超车透露长江存储跳过192层闪存直接切入232层

发布时间：2022-06-15 13:48 所属栏目：30 来源：互联网

导读：2016年成立的长江存储，于2017年通过自主研发和国际合作的方式，设计制造了首款3D NAND闪存。2019年，长江存储晶栈 Xtacking架构的第二代3D TLC闪存量产，2020年，第三代TLC/QLC研发成功，推进到128层3D堆叠。在闪存领域，通常将堆叠层数视作技术先进程度的

　　2016年成立的长江存储，于2017年通过自主研发和国际合作的方式，设计制造了首款3D NAND闪存。2019年，长江存储晶栈 Xtacking架构的第二代3D TLC闪存量产，2020年，第三代TLC/QLC研发成功，推进到128层3D堆叠。

　　在闪存领域，通常将堆叠层数视作技术先进程度的指标。

　　根据此前韩国研究机构OERI的一份报告，其表示中韩闪存技术差距目前已经缩短至两年，理由是三星和SK海力士明年初会量产超200层闪存，长江存储则要到2024年，现在来看，它们低估了长江存储的技术储备。

　　另外，此前传出长江存储有望打入苹果供应链，为iPhone等产品供货闪存的说法，倘若最终实现，那么无疑将有着打破产业格局的动能。

（编辑：ASP站长网）