美光全球首发232层TLC闪存功能翻倍密度最高

发布时间：2022-07-28 13:49 所属栏目：30 来源：互联网

导读：2021年全球首发176层堆栈的3D闪存之后，美光今天有全球首发了232层堆栈的TLC闪存，这是全然首个超过200层的闪存，也是业界密度最高的，接口速度提升到2.4GB/s，写入速度提升100%。美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer表示232层闪存是存储芯片创新的分水

　　2021年全球首发176层堆栈的3D闪存之后，美光今天有全球首发了232层堆栈的TLC闪存，这是全然首个超过200层的闪存，也是业界密度最高的，接口速度提升到2.4GB/s，写入速度提升100%。

　　美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer表示232层闪存是存储芯片创新的分水岭，首次证明了3D闪存有扩展到200层以上的能力。

　　此外，美光的232层闪存还是首款支持NV-LPDDR4，后者是一种低压接口，相比之前的IO接口，每比特的能效提升30%以上。

　　其他方面，美光的232层TLC闪存还是有史以来密度最高的，达到了14.6Gb/mm2，比当前的TLC闪存高出35-100%，而且232层闪存使用了11.5x13.5mm封装，尺寸比前代产品小了28%，是市面上最小面积的高密度闪存，可以减少对电路板空间的占用。

　　目前美光的232层闪存已经在新加披工厂量产，最初会由美光旗下的英睿达品牌推出消费级SSD，后续再公告其他产品。

（编辑：ASP站长网）

美光全球首发232层TLC闪存 功能翻倍 密度最高

美光全球首发232层TLC闪存功能翻倍密度最高