国产闪存跳级式发展明年追上232层与三星技术差异只有1年

发布时间：2022-07-28 13:52 所属栏目：30 来源：互联网

导读：昨晚美光公司宣布量产了232层闪存，这是全球首个突破200层的闪存，是目前速度最快、密度最高的TLC闪存，接下来三星、恺侠、西数、SK海力士的200+层闪存也会陆续量产。在闪存行业，国内的厂商长江存储也在奋起追赶，而且他们采取的策略不同，是跳级式发展，

　　昨晚美光公司宣布量产了232层闪存，这是全球首个突破200层的闪存，是目前速度最快、密度最高的TLC闪存，接下来三星、恺侠、西数、SK海力士的200+层闪存也会陆续量产。

　　在闪存行业，国内的厂商长江存储也在奋起追赶，而且他们采取的策略不同，是跳级式发展，中间会越过一些过渡性的闪存，量产64层闪存之后就进入了128层，跳过了中间的96层闪存。

　　目前长江存储生产的闪存主力是128层，今年下半年将进一步提升到192层，200+层以上的闪存也在开发中，最快2023年底就能看到232层闪存，慢一点的话也会在2024年搞定。

　　当然，技术差距缩短是一方面，国产闪存目前主要的问题还是产能不足，全球份额也就5%左右，三星的份额超过35%，恺侠、收购Intel闪存业务的SK海力士两家大约也在20%上下，未来几年中提升产能、抢占市场份额依然是国产闪存努力的方向。

（编辑：ASP站长网）

国产闪存跳级式发展 明年追上232层 与三星技术差异只有1年

国产闪存跳级式发展明年追上232层与三星技术差异只有1年